Toshiba a précisé avoir conçu une nouvelle structure semi-conductrice constituée de couches ultra-minces, sorte de sandwich de différents matériaux, qui permet une écriture plus rapide des données en exploitant les changements de résistance intervenant naturellement avec les variations de puissance électrique.

Comme les couches qui composent la structure sont plus fines qu'auparavant, il est également plus aisé d'employer des procédés de gravure plus étroite, ce qui permet d'augmenter la densité de données enregistrées par unité de surface, a détaillé Toshiba dans un document technique présenté mercredi aux Etats-Unis.

De ce fait, le groupe pense que, d'ici quatre ou cinq ans, il sera capable de produire en masse des puces-mémoire flash d'une capacité de stockage plus de six fois supérieure à celle des modèles actuels, soit environ 100 Gigaoctets (Go). Cette capacité équivaut quasiment à celle des disques durs qui équipent aujourd'hui les baladeurs numériques les mieux dotés.

Le marché des mémoires flash, que se partagent un petit nombre de fabricants, connaît une croissance rapide, ces composants étant intégrés dans une large gamme de produits numériques populaires dont les téléphones portables, les baladeurs audio-vidéo-numériques, les appareils photo, les nouveaux ordinateurs ultra-portables et les cartes-mémoire additionnelles amovibles.

Toshiba, qui investit massivement dans ce domaine, ainsi que l'actuel leader du secteur, le sud-Coréen Samsung, produisent actuellement en série des puces mémoire d'une capacité maximum de 16 Go. Ces deux géants devraient lancer l'an prochain la fabrication de modèles de 32 Go.